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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
104
En -215% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3364
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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