RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Comparez
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1952
2382
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link