RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2382
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link