RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
68
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
58
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
2025
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link