RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
66
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
66
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2429
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link