RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
62
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
39
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link