RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3631
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
INTENSO 5641162 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link