RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
37
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3711
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link