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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
37
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3384
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
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