RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3384
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link