RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2487
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G160081 2GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link