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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
差异
规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
13.9
16.2
写入速度,GB/s
8.6
12.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2487
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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