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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
41
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
20
读取速度,GB/s
11.1
19.2
写入速度,GB/s
8.2
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1348
3326
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
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