RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
48
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
48
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2895
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link