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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
48
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
48
读取速度,GB/s
13.9
16.8
写入速度,GB/s
8.6
13.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2895
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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