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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
53
左右 32% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
53
读取速度,GB/s
15.0
16.5
写入速度,GB/s
10.3
9.6
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2301
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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