RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
53
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
9.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
15
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
53
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
9.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2301
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link