RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
37
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3123
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link