RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
37
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2322
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link