RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
37
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2462
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link