RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2462
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link