RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
37
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2708
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link