RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
92
Autour de -163% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
35
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3164
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link