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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
92
Autour de -197% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3711
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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