RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
92
Autour de -318% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3012
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link