RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
92
Autour de -188% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.4
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
1424
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link