RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
92
Autour de -217% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2750
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link