RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
92
Autour de -283% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3346
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link