RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
92
Autour de -241% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3711
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB Comparaison des RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link