RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
92
Autour de -318% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.5
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
4014
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link