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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
92
Autour de -241% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
6400
Autour de 3.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
23400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3245
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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