RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
92
Autour de -124% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
41
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3073
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link