RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
92
Autour de -229% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3673
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB
Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link