RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
92
Autour de -171% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2994
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link