RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
92
Autour de -156% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
36
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3266
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link