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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
6400
1900
Autour de 3.37% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
92
Autour de -104% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
45
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
1900
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2387
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