RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
71
92
Autour de -30% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.5
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
71
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
1616
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link