RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
92
Autour de -197% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3031
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link