RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
64
92
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
64
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2205
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link