RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2083
2286
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link