RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
9.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2083
2286
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link