RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
39
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2431
3025
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link