RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
39
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2431
3025
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link