RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
39
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2431
2994
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link