RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
39
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2431
2994
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link