RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
66
Autour de 45% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
66
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
1877
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link