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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
66
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
66
读取速度,GB/s
14.9
15.9
写入速度,GB/s
9.5
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
1877
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
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Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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