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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
59
左右 -127% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
26
读取速度,GB/s
4,723.5
13.7
写入速度,GB/s
2,076.1
10.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2740
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
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