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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
比較する
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
総合得点
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
総合得点
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
13.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,076.1
10.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
59
周辺 -127% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
26
読み出し速度、GB/s
4,723.5
13.7
書き込み速度、GB/秒
2,076.1
10.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
741
2740
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
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