RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
36
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
33
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
2913
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
King Tiger Technology Tigo-1600Mhz-8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link